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本发明披露一种埋入式电容器下电极的制造方法，于以液相沉积氧化层保护沟渠的非下电极预定区，避免因掺有杂质的硅玻璃层残留于非下电极预定区，而于热退火处理过程中扩散驱入基底内，产生不想要的扩散区，并与下电极电性连接，而导致埋入式电容器产生漏电。...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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