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一种以化合物半导体材料制成的发光二极管，它包括发射光的具有多重量子井结构的主动区域，主动区域被上下两层的ＩｎＧａＡｌＰ与上层的包覆层夹持包覆。ＩｎＧａＡｌＰ的外延层是用有机金属气相外延法（ＯＭＶＰＥ）在ＧａＡｓ底材上以倾斜角度；Ａ形成，一斜...
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