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可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法制造方法及图纸
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下载可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法的技术资料
文档序号:3215730
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一种可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法,是于硅芯片上具有第一绝缘层,第一绝缘层上具有第一金属导线层,第一金属导线层上具有一第一保护层,第一保护层上具有第二保护层,第二保护层则具有多个透空孔,而该第一金属导线层与第二保护层...
该专利属于如意投资股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过如意投资股份有限公司授权不得商用。
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