温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种在衬底上制造氮化镓基半导体结构的方法，包含下列步骤：直接在衬底（１８）上形成具有至少一个开口（６）的掩模（１４），使缓冲层（１２）穿过开口生长，使氮化镓层（２０）从缓冲层向上生长并沿掩模侧向生长。在氮化镓从掩模中进行的生长过程中，氮化镓...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。