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本发明提供一种使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法。其中，该非挥发性内存单元在进行读取及写入时分别使用一基体读取电压值及一基体写入电压值，该方法包括以下步骤，首先，改变该基体写入电压值，使改变后的该基体写入电压值与该基体读取电压值...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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