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获得大面积高质量ＧａＮ自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度ＧａＮ薄膜；然后在ＥＬＯ ＧａＮ薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的ＧａＮ厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将ＧａＮ厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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