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本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。...
该专利属于精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社;三菱电机株式会社授权不得商用。

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