专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
松下电器产业株式会社
>
电容元件、半导体存储器及其制备方法技术
>技术资料下载
下载电容元件、半导体存储器及其制备方法的技术资料
文档序号:3215045
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明的目的在于:维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性,并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极31的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层15覆盖起来。上方电极33的上面、该...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。