下载电容元件、半导体存储器及其制备方法的技术资料

文档序号:3215045

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本发明的目的在于:维持好电容元件中的下方电极对氧的阻挡性,并防止电容元件中由金属氧化物制成的电容绝缘膜被还原。下方电极31的侧面被膜厚约从5nm到100nm、由氧化铝制成且防止氧及氢扩散的第1绝缘性阻挡层15覆盖起来。上方电极33的上面、该...
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