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互补式金氧半图像感测器及其制造方法技术
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文档序号:3214970
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一种互补式金氧半图像感测器的制造方法,此方法是在基底中形成隔离层,以将基底区隔为二极管感测区以及晶体管元件区。接着,在晶体管元件区形成栅极结构之后,再在栅极结构两侧的晶体管元件区中形成源/漏极区,且同时在光二极管感测区中形成掺杂区。然后,在...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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