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提供可抑制主要是直径３００ｍｍ以上的柴氏硅单晶片在进行高温热处理时的滑动转位的发生，且能充分地消除表面附近的内生（Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ）缺陷，并提供在单晶片表层部具有ＤＺ层，且基体中可获得具有高除气效果的高密度的氧析出物的退火单晶片。针对以柴可...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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