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本发明涉及一种双极型晶体管（１０），通过优化布图，使基极－集电极电容和集电极电阻的乘积减小，因此能提高这些重要的晶体管参数。双极型晶体管（１０）包括几个发射极元件组成的发射极（Ｅ）（２２，２５，２６），几个基极接头（Ｂ）（４０，４１）和几个...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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