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有源矩阵基板的制造方法技术
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文档序号:3214854
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在用来通过覆盖着薄膜晶体管(TFT)的保护膜上形成使TFT的源电极和象素电极之间彼此连接的接触通孔的步骤中,随后形成的接触通孔的位置被设计成与保护膜上形成开口的外涂层的开口位置间隔不少于2.0微米。这种构造迫使酚醛清漆型的光敏抗蚀涂层的开口...
该专利属于NEC液晶技术株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过NEC液晶技术株式会社授权不得商用。
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