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提供一种由硅基非单晶半导体构成、设置含有至少一个ｐ／ｎ型接合的发电层的光电元件，上述发电层的ｐ／ｎ型接合部界面中具有氮浓度成为最大的峰值，而且该氮浓度为１×１０＃＋［１８］原子／厘米＃＋［３］～１×１０＃＋［２０］原子／厘米＃＋［３］。这种...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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