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本发明揭露一种应用于双镶嵌内连线的氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层。本发明一种集成电路结构包含有：一底层；一第一介电层，形成于该底层上；一蚀刻停止层（ｅｔｃｈｓｔｏｐｌａｙｅｒ），形成于该第一介电层上；以及一第二介电层，形成于该蚀刻停止层上。...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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