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本发明公开了一种结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法，包括下列步骤：首先提供一半导体基底，其表面定义成一内存区以及一周边区，该内存区与该周边区分别包含有复数个掺杂之闸极以及源／汲极区；然后，蚀刻去除该闸极，直至一预定闸极高度；跟...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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