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本发明涉及一种在ＣＶＤ反应器内外延涂覆半导体晶片正面的方法，半导体晶片正面暴露于含有源气体及载气的加工气体，并且半导体晶片背面暴露于置换气体，其中该置换气体含有不超过５体积％的氢气，结果，基本上避免了由氢气强化的掺杂物扩散出半导体晶片背面。...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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