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半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件制造技术
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文档序号:3212238
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多晶硅薄膜和单晶硅薄膜被制作在淀积于绝缘衬底上的二氧化硅膜上。用对非晶硅薄膜进行热晶化的方法来生长多晶硅层,以便形成多晶硅薄膜。(a)其上具有二氧化硅膜和(b)其中具有氢离子注入部分的单晶硅衬底,被键合到已经经受过腐蚀清除的多晶硅薄膜区域,...
该专利属于夏普公司所有,仅供学习研究参考,未经过夏普公司授权不得商用。
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