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形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低...
该专利属于株式会社半导体能源研究所;夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所;夏普公司授权不得商用。

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