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本发明涉及一种金氧半场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）及其制造方法，其特征为半导体基底中有一沟道，信道区系为一跨越沟道的掺杂半导体层，而栅极则位于沟道中与沟道上方，并隔着栅介电层环绕信道区。此栅极与沟道的侧壁及底部之间分别以一间隙壁及一绝缘层相隔...
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