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本发明涉及一种碳纳米管随机存储器，包括以Ｓｉ作为衬底，该衬底上有ＳｉＯ＃－［２］绝缘层、碳纳米管、栅极和电极；栅极位于Ｓｉ衬底上ＳｉＯ＃－［２］绝缘层中的一条沟槽之中，其内沉积Ａｌ及经表面氧化形成的Ａｌ＃－［２］Ｏ＃－［３］绝缘层，栅极并与...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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