温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供即使产生无法忽视测定对象电容的泄漏电流，也可以测定正确电容值的电容值测定方法。在步骤Ｓ１，采用正常的ＰＭＯＳ栅极电位Ｇｐ１作为以一定周期控制ＰＭＯＳ晶体管ＭＰ１及ＭＰ２的导通／截止的ＰＭＯＳ栅极电位Ｇｐ，测定测试电流ＩＣＮ＿ｏｒｍ...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。