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本发明的目的是提供一种用于ｐ－型ＳｉＣ的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的ｐ－型电极包含选自镍（Ｎｉ）、钴（Ｃｏ）、钯（Ｐｄ）和铂（Ｐｔ）中的至少一种。...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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