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本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法，采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下，在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜，该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好，薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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