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本发明提供了一种只读存储元。多个只读存储元通过多根选址线相连，组成一个存储层。多个存储层在衬底上相互重叠。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于只读存储元分布在三维空间中，存储器的存储密度和存储容量可极大提高。三维存储器可以广泛地应用在...
该专利属于张国飙所有，仅供学习研究参考，未经过张国飙授权不得商用。

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