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在本发明中，用（Ｔｉ＃－［１－ｘ］Ａ＃－［ｘ］）Ｎ（其中，Ａ是选自Ａｌ、Ｇａ和Ｉｎ中的至少一种金属）作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成ＩＩＩ族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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