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本实用新型公开了有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置，包括保温筒、坩埚和保温盖，还包括避免杂质影响设备损坏的过滤结构、便于观察晶体生长的观察结构和保证晶体生长质量的抑制结构，所述保温筒内部底端的中间位置处安装有坩埚，且坩埚的内部设置有保护层，所...
该专利属于珠海经济特区方源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海经济特区方源有限公司授权不得商用。

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