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文档序号:3209963
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一种蚀刻方法,用于在衬底上介于氮化硅膜形成的氧化硅膜上形成纵横比高的凹部,包括使用由Ar气、O#-[2]气、C#-[5]F#-[8]气、CH#-[2]F#-[2]气的混合气体构成的蚀刻气体进行蚀刻的步骤。...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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