下载消去光刻胶与OSG之间的反应的方法的技术资料

文档序号:3209956

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成微电子器件并防止光刻胶中毒的方法。把各种导电金属和介电材料层按照选择的顺序沉积到基板上,以形成集成电路。通过曝光并使光刻胶材料图案化在该结构中形成通孔和沟槽。绝缘层的介电材料被防护,防止光刻胶产生导致光刻胶中毒的化学反应。通过沉积覆...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有,仅供学习研究参考,未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。