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一种半导体器件，包括：　　　　半导体衬底；　　　　由氮氧化硅膜制成的并淀积在半导体衬底的部分表面区域上的栅极绝缘膜；　　　　淀积在栅极绝缘膜上的栅极；和　　　　淀积在栅极两侧的源区和漏区，　　　　其中栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子总数...
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