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根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的ＯＥＣＯ太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度ｈ总是满足关系式ｈ≥Ｗ↓［１］ｔａｎθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具...
该专利属于信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社授权不得商用。

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