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本发明提供用于开放位线ＤＲＡＭ器件的结构和方法。开放位线ＤＲＡＭ器件包括存储单元阵列。存储单元阵列中的各个存储单元包括从半导体衬底（８１０）向外延伸的支柱（８４０）。支柱（８４０）包括单晶体第一接触层（８１２）和被氧化层（８１４）隔开的单晶...
该专利属于微米技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术有限公司授权不得商用。

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