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本发明提供一种ＳＯＩ（绝缘体上硅）结构与其制造方法，其中应变硅层（１２）直接位于绝缘体层（１４）上。该方法需要在应变诱发层（２２）上形成硅层（１２），其中应变诱发层（２２）具有与硅不相同的晶格常数，使得由于与应变诱发层（２２）之晶格失配而硅...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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