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本发明是一种发光装置用的半导体结构体，所述发光装置可发射在电磁光谱中红到紫外部分的光。该半导体结构体包括位于第一ｎ－型第Ⅲ族氮化物覆盖层（１１）和第二ｎ－型第Ⅲ族氮化物覆盖层（１２）之间的第Ⅲ族氮化物活性层（１３），第一和第二ｎ－型覆盖层各...
该专利属于克里公司所有，仅供学习研究参考，未经过克里公司授权不得商用。

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