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用彼此反转的二个调制掺杂的晶体管结构组成的外延层结构，在单片衬底（１４９）上得到了闸流管以及高速晶体管和光电子器件族。借助于对赝高电子迁移率晶体管（ＰＨＥＭＴ）结构进行平面掺杂而得到这种晶体管结构。对于一种晶体管，加入了与ＰＨＥＭＴ的调制掺...
该专利属于康涅狄格州大学所有，仅供学习研究参考，未经过康涅狄格州大学授权不得商用。

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