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一种半导体装置及其制造方法，在硅基板（１０）上，介有栅极绝缘膜（１１）地形成栅极电极（１２）。栅极绝缘膜（１１）具有由含硅的铪氧化物构成的高介电常数膜（１１ａ），以及形成在高介电常数膜（１１ａ）的下侧的、由含铪的硅氮化氧化膜所构成的下部屏障...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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