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通过首先在硅晶片上生长一个钛酸锶层（１０４），可以在大硅晶片上生长高质量的单晶Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ↓［３］外延层（１１０）。该钛酸锶层（１０４）为单晶层，与所述硅晶片之间隔有一个氧化硅无定形中间层（１１６）。...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

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