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用于蚀刻介质材料的方法技术
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文档序号:3208548
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一种在等离子体蚀刻反应器的反应室中蚀刻介质材料的方法,包括: a)在等离子体蚀刻反应器的反应室中在衬底支撑上放置包括介质材料的衬底,反应室容纳有下电极和具有至少约0.27英寸最小厚度的硅上电极; b)将处理气体引入反应室; ...
该专利属于兰姆研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过兰姆研究公司授权不得商用。
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