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本发明提供一种适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法。在一半导体衬底上设置一紧密接触层，该紧密接触层由选自难熔金属、难熔金属合金、难熔金属氮化物和难熔金属的硅氮化物构成的集合中的一种材料制成。在该紧密接触层表面上设置一氧化物表面...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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