温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于在集成多层电路的同一层次中制造ＭＩＭＣＡＰ和薄膜电阻器的方法，该ＭＩＭＣＡＰ为由顺序的金属、绝缘体、金属层形成的电容器，该方法包括：　　　　沉积氧化绝缘层，然后在氧化绝缘层的顶上沉积金属层从而形成电容器的底电极，然后在金属层的顶上沉...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。