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本发明的目标是提供一种包含阻挡膜的半导体器件及其制造方法，其中，该阻挡膜带有对层间绝缘膜的高蚀刻选择比例、良好的防Ｃｕ扩散功能、低介电常数和对Ｃｕ互连的优良的粘附性。放置在互连或通孔栓塞与其上面的层间绝缘膜之间的阻挡膜（例如，第二阻挡膜６）...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社授权不得商用。

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