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本发明公开了一种以对上方和／或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低ｋ介电材料包括有机低ｋ材料。刻蚀气体包括含氯气体如Ｃｌ↓［２］，含氧气体如Ｏ↓［２］，和载体气体如Ａｒ。为了实现对...
该专利属于兰姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰姆研究公司授权不得商用。

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