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本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：（ａ）在晶片的第一主表面的多个有源区之间形成隔离槽；（ｂ）通过淀积绝缘层在所述隔离槽中形成绝缘区；（ｃ）在步骤（ｂ）之后，使用催化剂将氧气和氢气合成为水蒸汽；（ｄ）保持如此合成的水...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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