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本发明提供了一种基于Ｓｉ的ＭＩＳ晶体管的制造方法，通过降低侧壁氧化工艺的热预算，防止了栅极导体的多晶晶粒显著变大。晶体管结构包括由栅极介质层（１２）覆盖的硅衬底（１０），在栅极介质层（１２）上形成有多晶硅栅极（１４），对该晶体管结构进行氧化...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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