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一种集成电路，包括形成到由半导体材料制成的衬底中的固态器件的子组件。组件内的该器件通过由导电金属形成的金属布线连接。具有Ｓｉ↓［ｗ］Ｃ↓［ｘ］Ｏ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］组成的合金膜的扩散阻挡层与金属布线接触，其中ｗ的值为１０－３３原子％，优选１８...
该专利属于陶氏康宁公司所有，仅供学习研究参考，未经过陶氏康宁公司授权不得商用。

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