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清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法技术
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文档序号:3207772
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利用不需要使用液体化学溶剂而且不在通孔内产生过量电荷累积的方法,清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物。一个步骤是使用碳氟化合物和氧气。利用微波和RF激发这些气体。另一个步骤是,除了这两种气体之外,引入也被微波和RF激发的氩气。其效果是清除...
该专利属于自由度半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过自由度半导体公司授权不得商用。
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