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掩埋磁隧道结存储器单元和方法技术
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文档序号:3207756
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一种制作存储器单元的方法,该方法包括以下步骤: a)提供衬底; b)淀积第一金属层,和构图并腐蚀第一金属导体; c)淀积、构图并腐蚀第一铁磁层; d)淀积层间电介质(ILD); e)以至少部分与第一金属导体对准...
该专利属于惠普开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过惠普开发有限公司授权不得商用。
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