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快速生长纳米硅丝的方法，其特征是步骤如下：　　　　首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中，在１～１０秒内升温至８００～１２５０℃，于保护气下热处理１０～５...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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