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描述了一种在无应力绝缘层上ＳｉＧｅ（ＳＧＯＩ）上形成应变Ｓｉ或ＳｉＧｅ，或者形成Ｓｉ异质结构上ＳｉＧｅ的方法，该方法包括在半导体基底上引入外延生长的Ｓｉ↓［１－ｙ］Ｇｅ↓［ｙ］层，通过化学抛光使表面平滑，通过热处理使两个基底键合在一起，通过...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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