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本发明揭示一种新的形成镶嵌结构的蚀刻方法。本发明包含：进行一破除制程以去除残留于硬遮层表面的聚合物残余物质与氧化物质，其中，破除制程是使用具有碳氟比的气体（ＣＦｘ－ｂａｓｅｄ），例如，Ａｒ／Ｏ↓［２］／ＣＦ↓［４］，轻微地冲刷硬遮层的顶部表...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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