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一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器制造技术
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文档序号:32073800
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本实用新型实施例公开了一种磁电阻薄膜结构和磁电阻传感器,该磁电阻薄膜结构包括:依次层叠设置的基底、种子层、参考层、间隔层、自由层和电极层;参考层在种子层上生长,且参考层的磁矩方向受到通入种子层内电流产生的自旋注入被钉扎;自由层的磁矩方向随外...
该专利属于江苏多维科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏多维科技有限公司授权不得商用。
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